长余辉发光材料的发光机理

长余辉发光材料的发光机理

1空穴传输模型
对于这类材料,最早的模型是由Matsuzawa等在SrAl2O4:Eu,Dy体系中提出的空穴传输模型。基于这个模型,Matsuzawa认为,在长余辉材料SrAl2O4:Eu,Dy中,Eu为电子俘获中心,Dy是空穴俘获中心。当材料受UV激发时,Eu可俘获电子变为Eu,由此产生的空穴经价带被Dy俘获生成Dy,停止激发后,由于热运动的关系,空穴发生逃逸,经过与上述过程相反的过程与导致Eu的特征发光,示意图如图3所示。该模型在各种Eu和Dy共掺的长余辉材料机理解释中被广泛为引用,成为Eu和Dy共掺的长余辉材料机理的通用解释。

2位移坐标模型
位移坐标模型最早是邱建荣和苏锵等人提出。图3是位移坐标模型示意图。A为Eu2+的基态能级,B为其激发态能级,C能级为缺陷能级。C可以是掺入的杂质离子,也可以是由基质中的某些缺陷产生的缺陷能级。苏锵等人认为C可以起到捕获电子的作用。在外部光源的作用下,电子受激发从基态跃迁到激发态(1),一部分电子跃迁回到低能态发光(2)。另一部分电子通过弛豫过程储存在缺陷能及C中(3)。当缺陷能级电子吸收能量时,重新受到激发回到激发态能级,跃迁回基态而发光。余晖的时间长短与储存在缺陷能级中的电子数量,及吸收的能量(热量)有关,缺陷能级中的电子数量越多,余晖时间越长,吸收的能量多,从而产生持续的发光。


has been added to your cart:
Checkout